返回首页

车床的材料和刀具怎么选择才匹配

来源:www.513hx.cn  时间:2023-09-01 19:06   点击:294  编辑:admin   手机版

一、车床的材料和刀具怎么选择才匹配

数控车床加工怎样选择合适的刀具和切削用量,是自动数控车床加工工艺中的一个最重要的内容,选择的结果不仅会影响数控车床的加工效率,还会影响工件的加工质量问题.所以整个数控车床加工中刀具的选择和切削用量的确定,是要在人机交互的状态下才能完成的,这与普通机床的加工方式形成了一个明显的对比。与此同时还得要求编程之人员,一定要掌握刀具及切削用量的正确选择这个最基本的原则,同时在编程的时候要能充分考虑到数控车床加工的特点,以便能更好地选择刀刃具和切削用量的问题。

首先要了解数控车床刀具的知识,还有刀具材料的性能.这个刀具材料的性能不仅仅只是会影响刀具切削性能的一个重要因素,同时它还会对刀具的生产率.耐用度.切削用量.加工成本这些方面都有着非常重要的影响.所以在机械加工过程中,数控车床不只是要熟悉各种刀具材料的种类性能和用途这一系问题之外,还必须可以根据不同的工件和加工之条件来对刀具材料作出一个合理的选择,当我们在进行切削时,同样的刀具也会承受较大的压力,而且还会与切屑,工件发生剧烈的摩擦,正因如此它会产生一种较高的切削温度,并且在加工余量的不均匀及切削断续表面的时候,还会使数控车床的刀具受到冲击而产生振动,所以刀具切削的部分材料就必须要具备这些最基本的性能。

因此要根据工件的基本机构形状,工件的材料加工性能等来综合考虑选择合适的刀具和切削的用量。

二、怎样区分镀膜玻璃与一般的玻璃

镀膜玻璃是在玻璃表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜,以改变玻璃的光学性能,满足某种特定要求。

镀膜玻璃按产品的不同特性,可分为以下几类:热反射玻璃、低辐射玻璃(Low-E)、导电膜玻璃等。热反射玻璃一般是在玻璃表面镀一层或多层诸如铬、钛或不锈钢等金属或其化合物组成的薄膜,使产品呈丰富的色彩,对于可见光有适当的透射率,对红外线有较高的反射率,对紫外线有较高吸收率,因此,也称为阳光控制玻璃,主要用于建筑和玻璃幕墙;低辐射玻璃是在玻璃表面镀由多层银、铜或锡等金属或其化合物组成的薄膜系,产品对可见光有较高的透射率,对红外线有很高的反射率,具有良好的隔热性能,主要用于建筑和汽车、船舶等交通工具,由于膜层强度较差,一般都制成中空玻璃使用;导电膜玻璃是在玻璃表面涂敷氧化铟锡等导电薄膜,可用于玻璃的加热、除霜、除雾以及用作液晶显示屏等;

镀膜玻璃的生产方法很多,主要有真空磁控溅射法、真空蒸发法、化学气相沉积法以及溶胶—凝胶法等。磁控溅射镀膜玻璃利用磁控溅射技术可以设计制造多层复杂膜系,可在白色的玻璃基片上镀出多种颜色,膜层的耐腐蚀和耐磨性能较好,是目前生产和使用最多的产品之一。真空蒸发镀膜玻璃的品种和质量与磁控溅射镀膜玻璃相比均存在一定差距,已逐步被真空溅射法取代。化学气相沉积法是在浮法玻璃生产线上通入反应气体在灼热的玻璃表面分解,均匀地沉积在玻璃表面形成镀膜玻璃。该方法的特点是设备投入少、易调控,产品成本低、化学稳定性好,可进行热加工,是目前最有发展前途的生产方法之一。溶胶—凝胶法生产镀膜玻璃工艺简单,稳定性也好,不足之处是产品光透射比太高,装饰性较差。

镀膜玻璃中应用最多的是热反射玻璃和低辐射玻璃。基本上采用真空磁控溅射法和化学气相沉积法两种生产方法。国际上比较著名的真空磁控溅射法设备生产厂家有美国的BOC公司和德国的莱宝公司,化学气相沉积法的著名生产厂家有英国的皮尔金顿公司等。八十年代后期以来,我国已经出现数百家镀膜玻璃生产厂家,在行业中影响较大的真空磁控溅射法生产厂家有中国南玻集团公司和上海阳光镀膜玻璃公司等,化学气相沉积法生产厂家有山东蓝星玻璃公司和长江浮法玻璃公司等。

三、请问PECVD中用的气体有哪些?有毒的呢?

PECVD--等离子体化学气相沉积法

为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

实验机理:

辉光放电等离子体中: 电子密度高 (109~1012/cm3)

电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍

虽环境温度(100-300℃),但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解,离解和离化,从而大大 提高了参与反应物的活性。

因此,这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基本表面上,发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。

优点:基本温度低;沉积速率快;

成膜质量好,针孔少,不易龟裂。

缺点:1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高;

2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害;

3.对小孔孔径内表面难以涂层等。

例子:在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性。

几种PECVD装置

图(a)是一种最简单的电感耦合产生等离子体的PECVD装置,可以在实验室中使用。

图b)它是一种平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上,压强通常保持在133Pa左右,射频电压加在上下平行板之间,于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电,并产生等离子体。

图(c)是一种扩散炉内放置若干平行板、由电容式放电产生等离子体的PECVD装置。它的设计主要为了配合工厂生产的需要,增加炉产量。

顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%
热门图文